четверг, 26 марта 2015 г.

Micron и Intel представили флэш-память 3D NAND

Компании Micron и Intel выпустили флэш-память 3D NAND с объемной компоновкой, позволяющей увеличить плотность записи в 3 раза. В основе технологии лежит использование ячеек с плавающим затвором. За счет трехмерной компоновки размеры отдельных ячеек могут быть увеличены, что должно положительно сказаться на энергопотреблении, производительности и сроке службы. Кроме того, переход на новую технологию подтверждает эффективность закона Мура в отношении флэш-памяти.


На практике память 3D NAND позволит создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки объемом 3,5 ТБ, а также уместить 10 ТБ в 2,5-дюймовый формфактор SSD. Компании уже продемонстрировали кремниевые пластины с 32-слойными чипами: плотность чипа типа MLC NAND равна 256 Гбит, а TLC NAND — 384 Гбит. Тестовые поставки памяти уже начались, а серийное производство намечено на IV квартал этого года.


Виджет от SocialMart



Игры, которые могут вам понравиться:
Бесплатная браузерная онлайн игра Travian

Бесплатная браузерная онлайн стратегия Кризис

Бесплатная клиентская массовая многопользовательская онлайн-игра World Of Tanks

Бесплатная клиентская игра, командный экшен от третьего лица Nosgoth

Новая браузерная онлайн игра Escilon



Micron и Intel представили флэш-память 3D NAND

Комментариев нет :

Отправить комментарий